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Samsung 990 PRO 1 TB
Warenbestand: Neu
Samsung 990 PRO 1 TB / SSD / M.2 NVMe PCI-E 4.0 / TLC / R: 7450 MBit/s / W: 6900 MBit/s / IOPS: 1200 K und 1550 K / MTBF 1,5 MHz / 5 Jahre
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Samsung 990 PRO 1 TB

Intern SSD / Kapazität 1000 GB / Sequentielles Lesen und Schreiben von 7450/6900 MB/s / Zufälliges Lesen und Schreiben von 1200000/1550000 IOPS / Chips TLC / 3D TLC / Spezifikationen NVMe / Formfaktor M.2 - 80 mm / Schnittstelle M.2 PCI-E NVMe Gen4 / TRIM / PCB / MTBF 1500000 Stunden / Garantie 60 Monate
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Code: 92459473
Hersteller: SAMSUNG Garantie: 60 Monate P/N: MZ-V9P1T0BW
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Garantie: 60 Monate P/N: MZ-V9P1T0BW

Das Produkt ist auch in anderen Varianten erhältlich

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Kühler für M.2
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Produktbeschreibung

Samsung 990 PRO 1TB PCIe Gen 4 NVMe SSD

Ultimative Leistung für anspruchsvolle Gamer und Profis

Die Samsung 990 PRO 1TB ist eine High-End-NVMe-SSD mit PCIe 4.0 x4-Schnittstelle und NVMe 2.0-Protokoll und bietet extrem schnelle sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.450 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 6.900 MB/s. Mit Samsungs fortschrittlichem hauseigenen Controller und 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache ist das Laufwerk ideal für Spiele, professionelle Datenverarbeitung und kreative Arbeit. Es verwendet den fortschrittlichen Samsung V-NAND TLC-Speicher, unterstützt fortschrittliche Sicherheitstechnologien wie 256-Bit-AES-Verschlüsselung und TRIM- oder S.M.A.R.T.-Funktionen und gewährleistet so hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer.


Lesegeschwindigkeit: Bis zu 7.450 MB/s

Schreibgeschwindigkeit: bis zu 6.900 MB/s

Geeignet für

Die Samsung 990 PRO 1TB ist die perfekte Wahl für Gamer, Ersteller digitaler Inhalte und anspruchsvolle Benutzer, die maximale Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit benötigen. Sie eignet sich hervorragend für moderne PCs und PCIe 4.0-fähige Spielekonsolen, wo sie für schnell ladende Spiele, reibungslosen Videoschnitt und andere professionelle Anwendungen sorgt.

Wichtigste Parameter

  • Kapazität: 1 TB (1.000 GB)
  • Schnittstelle: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
  • Format: M.2 (2280)
  • Maximale sequenzielle Lesegeschwindigkeit: bis zu 7.450 MB/s
  • Maximale sequenzielle Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 6.900 MB/s
  • Zufälliges Lesen (4 KB, QD32): Bis zu 1.200.000 IOPS
  • Zufälliges Schreiben (4 KB, QD32): Bis zu 1.550.000 IOPS
  • Speicher: Samsung V-NAND TLC
  • Steuerung: Samsung Inhouse-Steuerung
  • Puffer: 1 GB stromsparender DDR4 SDRAM
  • Verschlüsselungsunterstützung: 256bit AES (Klasse 0), TCG/Opal, IEEE1667
  • TRIM, S.M.A.R.T., Auto Garbage Collection
  • Leistungsaufnahme (durchschnittlich): 5,5 W
  • Leistungsaufnahme (inaktiver Modus): Max. 50 mW
  • Betriebstemperatur: 0-70 °C
  • Abmessungen: 80 × 22 × 2,3 mm
  • Gewicht: Max. 9 g
  • Zuverlässigkeit (MTBF): 1,5 Millionen Stunden
  • Schockfestigkeit: 1.500 G & 0,5 ms


Technische Parameter

Marke
Marke SAMSUNG
Bezeichnung und Typ
Bezeichnung Intern
Typ   SSD
Verwendung   Intern - Computer , Intern - Notebook
Garantie [Monate] 60
Kapazität
Festplattenkapazität [GB]   1000
Grundlegende Spezifikationen
Farbe   Schwarz
Format   M.2 - 80 mm
Schnittstelle   M.2 PCI-E NVMe Gen4
Geschwindigkeiten
SSD-Sequentielles Lesen [MB/s]   7450
SSD-Zufallslesen [IOPS]   1200000
SSD-Sequentielles Schreiben [MB/s]   6900
SSD-Zufallsschreiben [IOPS]   1550000
Erweiterte Spezifikationen
Funktionen   TRIM
Material   PCB
Standardformatierung   Keine Formatierung
Schnittstellenspezifikationen NVMe
Art der NAND-Speicher TLC / 3D TLC
Verschlüsselung   Hardware (AES 256-Bit)
Zuverlässigkeit (MTBF) [Stunden] 1500000
Warenzustand
Warenzustand Einfach neu


Technische Parameter

Technische Parameter

Marke
Marke SAMSUNG
Bezeichnung und Typ
Bezeichnung Intern
Typ   SSD
Verwendung   Intern - Computer , Intern - Notebook
Garantie [Monate] 60
Kapazität
Festplattenkapazität [GB]   1000
Grundlegende Spezifikationen
Farbe   Schwarz
Format   M.2 - 80 mm
Schnittstelle   M.2 PCI-E NVMe Gen4
Geschwindigkeiten
SSD-Sequentielles Lesen [MB/s]   7450
SSD-Zufallslesen [IOPS]   1200000
SSD-Sequentielles Schreiben [MB/s]   6900
SSD-Zufallsschreiben [IOPS]   1550000
Erweiterte Spezifikationen
Funktionen   TRIM
Material   PCB
Standardformatierung   Keine Formatierung
Schnittstellenspezifikationen NVMe
Art der NAND-Speicher TLC / 3D TLC
Verschlüsselung   Hardware (AES 256-Bit)
Zuverlässigkeit (MTBF) [Stunden] 1500000
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